|
日前，意法 半导体(STMicroelectronics , ST )为太阳能 、电信及消费性电子应用领域的设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择而扩大采用第六代 STripFET 技术的高效功率MOSFET产品系列。
最新的 STripFET VI DeepGATE 功率 MOSFET 可承受高达80V的电压，可用于太阳能发电应用(如微型逆变器)、电信设备、网络设备以及服务器电源。高额定电压可准许晶体管在48V电信应用中稳定工作，高能效并可有效降低营运业者的网络成本。
此外，这项技术不仅可降低消费性电子的电源能耗，更可使其在更低的温度下工作，从而提高用户的使用体验，并延 长电池寿命。
首批推出的5款产品分别为60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半导体最新的DeepGATE通道MOSFET架构，这五款产品拥有业界 同类产品最低的每单位面积导通电阻。这些低损耗元件采用多种不同的微型工业标准封装，使客户能够提高系统能效，同时降低印刷电路板的尺寸和总体元件数量/ 成本。
采用TO-220封装的STP260N6F6、STP210N75F6与采用H2PAK-2表面贴装的 STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。采用PowerFLAT 5x6封装的STL75N8LF6预计于2011年第三季推出样品。PowerFLAT封装可减少芯片的占板空间，同时最佳化输出电流。
|
